探針臺(tái)產(chǎn)品及廠家
磁場(chǎng)探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場(chǎng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2025-04-07
三維磁場(chǎng)探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2025-04-07
三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
更新時(shí)間:2025-04-07
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
氣氛型高溫探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺(tái)可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-04-07
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2025-04-07
半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái) 錦正茂高低溫真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2k~500k）。
更新時(shí)間:2025-04-07
半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備高低溫真空環(huán)境探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
錦正茂三維磁場(chǎng)探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2025-04-07
錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2025-04-07
氣氛型高溫探針臺(tái)半導(dǎo)體材料測(cè)量快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試，測(cè)試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時(shí)間:2025-04-07
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時(shí)間:2025-04-07
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
更新時(shí)間:2025-04-07
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái)錦正茂高低溫真空探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
jzm-d30室溫探針臺(tái)材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的，探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-04-07
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。磁場(chǎng)均勻性：中心區(qū)域60mm球體內(nèi)為1%。
更新時(shí)間:2025-04-07
主要技術(shù)指標(biāo)：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）
更新時(shí)間:2025-04-07
實(shí)驗(yàn)測(cè)量設(shè)備磁場(chǎng)探針臺(tái)芯片測(cè)試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-04-07
高低溫探針臺(tái)t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80k-420k高低溫測(cè)試環(huán)境，
更新時(shí)間:2025-04-07
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-04-07
實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測(cè)量?jī)x器定制高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2025-04-07
kt-z1604t型號(hào)真空探針臺(tái) 冷熱型 鄭科探廠家應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本
更新時(shí)間:2025-04-03
鉻金薄膜的蒸鍍生長(zhǎng)。本文所研究的叉指電結(jié)構(gòu)采用鉻、金材料制作。先需要在玻璃襯底上生長(zhǎng)一層均勻覆蓋的薄膜。將上一步工藝過(guò)程中清洗好的玻璃片放入電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)中，抽真空后，先蒸鍍 50 厚度的鉻金屬層，再蒸鍍1000Å 厚度的金層，后升溫到 300℃進(jìn)行熱處理以增強(qiáng)鉻金層的黏附性。鉑金叉指電高低溫探針臺(tái)是一款門用于叉指電的經(jīng)濟(jì)型探針臺(tái)。
更新時(shí)間:2025-04-03
叉指微電因其微小的電間距結(jié)構(gòu)可用于各種小型化傳感器。對(duì)于傳統(tǒng)分析檢測(cè)，包括色譜法、光譜法、質(zhì)譜等方法，大多都需要昂貴的儀器和多種操作步驟，使得許多實(shí)際問(wèn)題仍面臨困難。開(kāi)發(fā)高靈敏度、低成本，小型化的傳感器尤為重要。微電容單通道叉指電高低溫探針臺(tái)kt-z4019mrl4t是一款門用于叉指電的經(jīng)濟(jì)型探針臺(tái)。可高溫400℃低溫-196℃ 測(cè)試噪聲小于5e-13a 可擴(kuò)展上下雙透視窗口。
更新時(shí)間:2025-04-03
電的對(duì)數(shù)對(duì)叉指電傳感器信噪比的大小基本沒(méi)有影響。叉指電間距的減小可以使信噪比增大的同時(shí)提高信號(hào)幅。如應(yīng)用于化學(xué)傳感域，叉指電間距的減小還可以有效地提高化學(xué)反應(yīng)的速率、加快建立反應(yīng)進(jìn)行過(guò)程，從而能夠提高傳感器性能，并縮短叉指電傳感器反應(yīng)的時(shí)間。叉指電傳感器的電寬度的減小在提高信噪比的同時(shí)會(huì)使檢測(cè)信號(hào)的幅值降低。柔性叉指電微型探針臺(tái)是一款門用于叉指電的經(jīng)濟(jì)型探針臺(tái)。
更新時(shí)間:2025-04-03
叉指電傳感器主要包括四個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)，分別為:叉指電對(duì)的對(duì)數(shù)、叉指寬度、相鄰叉指之間的間隙距離以及叉指電的厚度。這四個(gè)參數(shù)對(duì)基于叉指電的生化傳感器關(guān)鍵性能指標(biāo)都有很大影響。硅基叉指電結(jié)構(gòu)高低溫探針臺(tái)kt-z4019mrl4t是用于叉指電的一款性價(jià)比很高的探針臺(tái)，可進(jìn)行高溫和低溫，采用純銀熱臺(tái)，有導(dǎo)熱更好，不易氧化等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-04-03
微間距的叉指電是一種為常用的微間距電結(jié)構(gòu)，它被廣泛的應(yīng)用于非破壞性測(cè)試、電子通訊、化學(xué)測(cè)試等多個(gè)域。 一般來(lái)說(shuō)，不同的應(yīng)用域?qū)τ诓嬷鸽姷男螤睢缀螌W(xué)尺寸、加工工藝、材料的選擇、建模分析、系統(tǒng)集成以及數(shù)據(jù)的分析都有不同的要求，因此對(duì)于不同的域我們應(yīng)該區(qū)分對(duì)待。硅基叉指電微型探針臺(tái)kt-z4019mrl4t是一款門用于叉指電的經(jīng)濟(jì)型探針臺(tái)。
更新時(shí)間:2025-04-03
微型高低溫真空探針臺(tái)，這款真空變溫探針臺(tái)是業(yè)變溫真空晶圓流測(cè)試設(shè)計(jì)的業(yè)變溫真空探針臺(tái),滿足晶圓變溫光電測(cè)試需要,測(cè)試溫度范圍達(dá)到液氮溫度 -190℃~350℃,特別適合高溫和低溫環(huán)境下晶圓真空變溫測(cè)試和射頻測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-04-03
微型低溫探針冷臺(tái)，可定低溫制探針臺(tái)系統(tǒng)，整套系統(tǒng)包括探針臺(tái)真空腔主體、鐵制抗震支架、進(jìn)口分子泵機(jī)組、視頻顯微鏡、探針、智能溫控儀等配置
更新時(shí)間:2025-04-03
微型真空探針臺(tái)熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試儀器 快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試，測(cè)試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時(shí)間:2025-04-03
小型高低溫探針臺(tái)配套了高精度pid溫度控制器，用戶可以清楚直觀地了解了整體系統(tǒng)相關(guān)位置的溫度情況，確保溫度測(cè)試的可靠性。同時(shí)，200w 大功率直流輸出，可讓樣品臺(tái)快速?gòu)?196℃上升至350℃，大地提供了溫控效率，為用戶節(jié)省大量寶貴的實(shí)驗(yàn)時(shí)間。由于系統(tǒng)中溫控部件均為直流配置，也大大地減少了加熱部件的干擾，提供了系統(tǒng) 的漏電精度。
更新時(shí)間:2025-04-03
叉指電真空探針臺(tái) 是鄭州科探儀器門為實(shí)驗(yàn)研究設(shè)計(jì)的一款小型探針臺(tái)，具有高低溫功能，智能多端溫控，性價(jià)比高等特點(diǎn)。叉指陣列微電因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單容易量產(chǎn),尺寸小響應(yīng)靈敏,且在檢測(cè)中能快速建立穩(wěn)定信號(hào)而被廣泛應(yīng)用于各類傳感器中。但是基于叉指電的傳感器在靈敏度、選擇性等重要的性能方面仍有待提高
更新時(shí)間:2025-04-03
微型高溫探針臺(tái)kt-z400mr4t，0-400℃溫控，主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學(xué)性能表征和測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-04-03
真空探針臺(tái)kt-z160tz，高溫真空腔探針系統(tǒng)主要用于為被測(cè)芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測(cè)量環(huán)境，以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來(lái)的測(cè)試結(jié)果誤差。
更新時(shí)間:2025-04-03
1、儀器供電：本儀器適用于220v電源，也可直接使用兩節(jié)12v電池供電。（好使用12v堿性電池），方便安全。判別準(zhǔn)確！ 2、電阻率測(cè)量范圍：0.1歐姆/厘米以下會(huì)自動(dòng)報(bào)警。 3、測(cè)試方法：打開(kāi)筆套，將測(cè)試筆針接觸被測(cè)原料，電阻率小于0.1歐姆/厘米時(shí)會(huì)自動(dòng)報(bào)警，電阻率大于0.1歐姆/厘米不報(bào)警。
更新時(shí)間:2025-04-02
二探針測(cè)試儀是運(yùn)用二探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料縱向電阻率的儀器。
更新時(shí)間:2025-04-02
可對(duì)樣品進(jìn)行單點(diǎn)、五點(diǎn)、九點(diǎn)、多點(diǎn)、直徑掃描、面掃描等模式的全自動(dòng)測(cè)試；
更新時(shí)間:2025-04-02
按照我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)gb/t1551-1995及美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)（astm）推薦的材料驗(yàn)收檢測(cè)方法“兩探針?lè)ā痹O(shè)計(jì)。配套測(cè)試架適合于測(cè)量硅芯電阻率。兩探針?lè)ǖ臏y(cè)量精度一般優(yōu)于四探針?lè)ā?/div>
更新時(shí)間:2025-04-02
儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等部分組成。 主機(jī)主要由精密恒流源、高分辨率adc、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀特贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類功能，大分類10類。
更新時(shí)間:2025-04-02
手動(dòng)檢針器 檢針器可手動(dòng)檢測(cè)鞋底、鞋頭、鞋面、鞋幫、襪子、小型玩具等物品中的鐵類金屬可手動(dòng)檢測(cè)鞋底、鞋頭、鞋面、鞋幫、襪子、小型玩具等物品中的鐵類金屬。。
更新時(shí)間:2025-04-02
可對(duì)樣品進(jìn)行單點(diǎn)、五點(diǎn)、九點(diǎn)、多點(diǎn)、直徑掃描、面掃描等模式的全自動(dòng)測(cè)試； 屏蔽測(cè)試，完全消除光線對(duì)樣品測(cè)試的影響，保證測(cè)量的準(zhǔn)確性； 吸附測(cè)試，完全消除全自動(dòng)測(cè)試過(guò)程中樣品移動(dòng)對(duì)測(cè)試的影響；
更新時(shí)間:2025-04-02
可檢測(cè)小件服裝、手套、皮革、拉鏈等，也可以協(xié)助輸送帶機(jī)找出斷針小件服裝、絲襪、手套、皮革、拉鏈等物體
更新時(shí)間:2025-04-02
xf807-kba123型防爆云臺(tái)是隔爆型電器設(shè)備，適用于石油、化工等企業(yè)含有易燃、易爆氣體及可燃性混合物的場(chǎng)所。
更新時(shí)間:2025-04-02
xf807-czh-9型擴(kuò)音電話終端機(jī)分為xf807-czh-9a型（適用于普通安全場(chǎng)所,在交流220v斷電后相當(dāng)于普通電話機(jī)照使用）和xf807-czh-9b型。
更新時(shí)間:2025-04-02
vb-40 analytik jena藍(lán)光切膠儀透照面積20x40cm，25瓦，琥珀色的面板可以轉(zhuǎn)化為藍(lán)光，容易觀察樣品。vb-40藍(lán)光切膠儀又叫藍(lán)光透照臺(tái)，具有紫外線安全性，可將365nm紫外線轉(zhuǎn)換
更新時(shí)間:2025-03-28
美國(guó)uvp m-15v紫外透照臺(tái)m-15v analytik jena 透照臺(tái)，功率為8w，波長(zhǎng)為中波302nm，透照面積為15x15cm。主要特點(diǎn)增強(qiáng)的紫外線輸出和強(qiáng)度不亮閃
更新時(shí)間:2025-03-28
lm-26 analytik jena雙波段紫外透照臺(tái)，功率為8w，雙波長(zhǎng)中波302nm和長(zhǎng)波365nm，透照面積為21x26cm。主要特點(diǎn)增強(qiáng)的紫外線輸出和強(qiáng)度不亮閃爍較寬的強(qiáng)度范圍與變量選擇（機(jī)型
更新時(shí)間:2025-03-28
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