光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái)，在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印（nil）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時(shí)間:2025-04-03
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2025-04-03
液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-04-03
美國(guó) lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學(xué)，更高效
更新時(shí)間:2025-04-03
德國(guó)yxlon 定制化的標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cheetah evo，為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制、
更新時(shí)間:2025-04-03
德國(guó)yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制
更新時(shí)間:2025-04-03
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-7000，可以通過(guò)改變照射在樣品上的不同波長(zhǎng)范圍的光源（紅、綠、藍(lán)光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學(xué)重要參數(shù)隨光源強(qiáng)度變化的曲線。
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion光遮蔽粒子計(jì)數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測(cè)試粒徑范圍：1~20個(gè)通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個(gè)通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器kc-31 ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）,大粒子數(shù)濃度：28000000 顆/l
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-32 ( 光散射法）測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-20a ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：ka-05( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器,測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.5μm ， ≥5.0μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rio液體粒子計(jì)數(shù)器ke-18fx ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（4個(gè)通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，工廠標(biāo)配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個(gè)通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2025-04-03
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2025-04-03
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2025-04-03
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2025-04-03
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹(shù)脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2025-04-03
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-04-03
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-04-03
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過(guò)高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測(cè)試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡(jiǎn)便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2025-04-03
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2025-04-03
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過(guò)樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過(guò)電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2025-04-03
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-04-03
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無(wú)二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測(cè)試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺(tái)式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2025-04-03
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī)，使用計(jì)算機(jī)控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2025-04-03
韓國(guó)ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測(cè)量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時(shí)間:2025-04-03
英國(guó)quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機(jī)，是一款優(yōu)化設(shè)計(jì)的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設(shè)備，真空度可達(dá)5x10-5mbar。可以濺射具有超細(xì)成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無(wú)定形碳膜。
更新時(shí)間:2025-04-03
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機(jī)用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)用光刻機(jī)，目得到業(yè)界的廣泛認(rèn)同，該系列光刻機(jī)曝光系統(tǒng)的曝光燈，主要是由德國(guó)歐司朗及日本牛尾公司生產(chǎn)的曝光燈進(jìn)行配套供應(yīng)。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩(wěn)定的光強(qiáng)度以及優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)受到業(yè)界的青睞。
更新時(shí)間:2025-04-03
adlema先進(jìn)的檢漏機(jī)bt4000技 術(shù) 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時(shí)間:2025-04-03
美國(guó)kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達(dá)800 ℃，樣品尺寸可達(dá)10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2025-04-03
ure-2000/34al型光刻機(jī)，曝光分辨率： 0.8μm-1μm ，套準(zhǔn)精度：±0.8-1μm
更新時(shí)間:2025-04-03
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