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元器件測(cè)試產(chǎn)品及廠家

協(xié)會(huì) PCIE5.0  一致性測(cè)試 夾具 U.2 (NVME) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
協(xié)會(huì) PCIE5.0  一致性測(cè)試 夾具 U2 (NVME) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 OCP3.0 Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 OCP3.0 Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 M.2 Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 M.2 Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 EDSFF(E1.S/E1.L) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 EDSFF(E1.S/E1.L) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 U.3(NVME) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 U.3 (NVME) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 U2 (NVME) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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PCIE5.0 夾具 驗(yàn)證,調(diào)試和一到性測(cè)試解決方案
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 U2 (NVME) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
協(xié)會(huì) PCIE5.0 一致性測(cè)試 夾具 OCP3.0 Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
協(xié)會(huì) PCIE5.0 一致性測(cè)試 夾具 OCP3.0 Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
淼森波實(shí)驗(yàn)室 協(xié)會(huì) PCIE5.0 夾具 M.2 Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
協(xié)會(huì) PCIE5.0 一致性測(cè)試 夾具 M.2 Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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協(xié)會(huì) PCIE5.0 一致性測(cè)試 夾具 EDSFF(E1.S/E1.L) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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協(xié)會(huì) PCIE5.0 一致性測(cè)試 夾具 EDSFF(E1.S/E1.L) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
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協(xié)會(huì) PCIE5.0  一致性測(cè)試 夾具 U.3 (NVME) Gen5 CBB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
協(xié)會(huì) PCIE5.0  一致性測(cè)試 夾具 U.3 (NVME) Gen5 CLB
淼森波實(shí)驗(yàn)室 “協(xié)匯“ pcie5.0 夾具,pcie5.0 夾具銷售(u.2(nvme) clb/cbb; u.3(nvme) clb/cbb; edsff(e1.s/e1.l) clb/cbb; m.2 clb/cbb; ocp3.0 clb/cbb; re-driver board)
更新時(shí)間:2025-04-17
FT838NB1 5W充電器/適配器IC方案
ft838nb1 內(nèi)飾npn 5w 充電器方案fmd 代理 大量庫(kù)存,聯(lián)系電話:18476656316 曾小姐
更新時(shí)間:2025-04-17
元器件模型提取
元器件模型提取是指在電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(eda)中,從實(shí)際的元器件(如電阻、電容、晶體管等)或電路中提取其電氣特性并建立相應(yīng)的數(shù)學(xué)模型的過(guò)程。這一過(guò)程通常用于電路仿真,以便在設(shè)計(jì)階段能夠更準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)電路的性能。
更新時(shí)間:2025-04-17
齒科用硅鉬棒
電爐,超硬材料廠,日用陶瓷廠,抽油桿廠,氧化鋁陶瓷廠等
更新時(shí)間:2025-04-16
IGBT,SiC MOS結(jié)電容測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。車規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)與認(rèn)證:針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域,提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證,助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn):模擬極端環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中可靠運(yùn)行。失效分析及可靠性評(píng)估:快速定位元器件失效根因,為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。白經(jīng)理:15891485109
更新時(shí)間:2025-04-16
高低功率IGBT模塊靜態(tài)測(cè)試,動(dòng)態(tài)測(cè)試第三方報(bào)告
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。車規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)與認(rèn)證:針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域,提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證,助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn):模擬極端環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中可靠運(yùn)行。失效分析及可靠性評(píng)估:快速定位元器件失效根因,為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。
更新時(shí)間:2025-04-16
高低功率IGBT模塊靜態(tài)測(cè)試,動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)(cnas)正式認(rèn)證的功率器件測(cè)試服務(wù)中心,嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室覆蓋igbt、mosfet、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、軍工國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域,為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
更新時(shí)間:2025-04-16
IGBT模塊靜態(tài)測(cè)試,動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)(cnas)正式認(rèn)證的功率器件測(cè)試服務(wù)中心,嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室覆蓋igbt、mosfet、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、軍工國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域,為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
更新時(shí)間:2025-04-16
半導(dǎo)體模塊IGBT測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)(cnas)正式認(rèn)證的功率器件測(cè)試服務(wù)中心,嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室覆蓋igbt、mosfet、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、軍工國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域,為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
更新時(shí)間:2025-04-16
元器件IGBT測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)(cnas)正式認(rèn)證的功率器件測(cè)試服務(wù)中心,嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室覆蓋igbt、mosfet、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、軍工國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域,為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
更新時(shí)間:2025-04-16
分立器件IGBT測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室覆蓋igbt、mosfet、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測(cè)試、篩選及老化服務(wù)的權(quán)威機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、軍工國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域,為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。
更新時(shí)間:2025-04-16
分立器件IGBT電參數(shù)測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾CNAS)
功率器件參數(shù)驗(yàn)證與二次篩選測(cè)試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。車規(guī)級(jí)元器件檢測(cè)與認(rèn)證:針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域,提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗(yàn)證,助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。環(huán)境與老化實(shí)驗(yàn):模擬極端環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中可靠運(yùn)行。失效分析及可靠性評(píng)估:快速定位元器件失效根因,為產(chǎn)品改進(jìn)和技術(shù)迭代提供有力支撐。
更新時(shí)間:2025-04-16
IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試服務(wù)(長(zhǎng)禾)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
IGBT開關(guān)時(shí)間損耗參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
第三代功率半導(dǎo)體器件SIC SI器件電參數(shù)測(cè)試服務(wù)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
電力半導(dǎo)體器件測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
IGBT第三代半導(dǎo)體器件電參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
MOSFET器件電參數(shù)測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
更新時(shí)間:2025-04-16
功率循環(huán)試驗(yàn)分析實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
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高溫反偏試驗(yàn)HTRB電參數(shù)測(cè)試服務(wù)
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
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CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
更新時(shí)間:2025-04-16
MOSFET模塊雪崩能量測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
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功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)中心
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
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IGBT動(dòng)靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)中心
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”),位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
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IGBT模塊雙脈沖參數(shù)檢測(cè)中心實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
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碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試中心第三方實(shí)驗(yàn)室
功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。
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碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試中心第三方實(shí)驗(yàn)室
功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等域的技術(shù)服務(wù)
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SiC MOS 器件測(cè)試中心第三方實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
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碳化硅器件測(cè)試中心-長(zhǎng)禾CNAS
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
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IGBT電子元器件失效分析實(shí)驗(yàn)室
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是cnas 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
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